Name: NTMFS5H414NLT1G
Brand: Rochester Electronics
SKU: NTMFS5H414NLT1G
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Herstellerteil: NTMFS5H414NLT1G

Hersteller: Rochester Electronics

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 35A/210A 5DFN

Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte

Familie: Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln

Serie: -

Auf Lager: 21000

Datenblätter online: NTMFS5H414NLT1G PDF

NTMFS5H414NLT1G Notiz

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Serie:-
Paket:Bulk
Teilstatus:Active
fet-Typ:N-Channel
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):40 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:35A (Ta), 210A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):4.5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:1.4mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ id:2V @ 250µA

Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:75 nC @ 10 V
vgs (max):±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:4.55 pF @ 20 V
fet-Funktion:-
Verlustleistung (max.):3.1W (Ta), 110W (Tc)
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paket / Koffer:8-PowerTDFN, 5 Leads

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