Name: BSS119NH6327XTSA1
Brand: IR (Infineon Technologies)
SKU: BSS119NH6327XTSA1
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Herstellerteil: BSS119NH6327XTSA1

Hersteller: IR (Infineon Technologies)

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3

Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte

Familie: Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln

Serie: -

Auf Lager: 29581

Datenblätter online: BSS119NH6327XTSA1 PDF

BSS119NH6327XTSA1 Notiz

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Serie:OptiMOS™
Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:Active
fet-Typ:N-Channel
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):100 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:190mA (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):4.5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:6Ohm @ 190mA, 10V
vgs(th) (max) @ id:2.3V @ 13µA

Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:0.6 nC @ 10 V
vgs (max):±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:20.9 pF @ 25 V
fet-Funktion:-
Verlustleistung (max.):500mW (Ta)
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:SOT-23-3
Paket / Koffer:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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