Name: TPN1R603PL,L1Q
Brand: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
SKU: TPN1R603PL,L1Q
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Herstellerteil: TPN1R603PL,L1Q

Hersteller: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 80A 8TSON

Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte

Familie: Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln

Serie: -

Auf Lager: 15760

Datenblätter online: TPN1R603PL,L1Q PDF

TPN1R603PL,L1Q Notiz

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Serie:U-MOSIX-H
Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:Active
fet-Typ:N-Channel
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):30 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:80A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):4.5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:1.6mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (max) @ id:2.1V @ 300µA

Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:41 nC @ 10 V
vgs (max):±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:3900 pF @ 15 V
fet-Funktion:-
Verlustleistung (max.):104W (Tc)
Betriebstemperatur:175°C
Befestigungsart:Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:8-TSON Advance (3.3x3.3)
Paket / Koffer:8-PowerVDFN

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