TPH3212PS

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Herstellerteil

TPH3212PS

Hersteller
Transphorm
Beschreibung
GANFET N-CH 650V 27A TO220AB
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln
Serie
-
Auf Lager
559
Datenblätter online
TPH3212PS PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tube
  • Teilstatus:Last Time Buy
  • fet-Typ:N-Channel
  • Technologie:GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
  • Drain-Source-Spannung (vdss):650 V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:27A (Tc)
  • Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
  • rds auf (max) @ id, vgs:72mOhm @ 17A, 8V
  • vgs(th) (max) @ id:2.6V @ 400uA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:14 nC @ 8 V
  • vgs (max):±18V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:1130 pF @ 400 V
  • fet-Funktion:-
  • Verlustleistung (max.):104W (Tc)
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Through Hole
  • Gerätepaket des Lieferanten:TO-220AB
  • Paket / Koffer:TO-220-3
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Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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