TSM4N60ECH C5G

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Herstellerteil

TSM4N60ECH C5G

Hersteller
TSC (Taiwan Semiconductor)
Beschreibung
MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO251
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln
Serie
-
Auf Lager
0
Datenblätter online
TSM4N60ECH C5G PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tube
  • Teilstatus:Active
  • fet-Typ:N-Channel
  • Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain-Source-Spannung (vdss):600 V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:4A (Tc)
  • Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
  • rds auf (max) @ id, vgs:2.5Ohm @ 2A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:5V @ 250µA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:12 nC @ 10 V
  • vgs (max):±30V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:545 pF @ 25 V
  • fet-Funktion:-
  • Verlustleistung (max.):86.2W (Tc)
  • Betriebstemperatur:150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Through Hole
  • Gerätepaket des Lieferanten:TO-251 (IPAK)
  • Paket / Koffer:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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