SSM6J207FE,LF

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Herstellerteil

SSM6J207FE,LF

Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 1.4A ES6
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln
Serie
-
Auf Lager
0
Datenblätter online
SSM6J207FE,LF PDF
Anfrage
  • Serie:U-MOSII
  • Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • Teilstatus:Active
  • fet-Typ:P-Channel
  • Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain-Source-Spannung (vdss):30 V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:1.4A (Ta)
  • Antriebsspannung (max rds an, min rds an):4V, 10V
  • rds auf (max) @ id, vgs:251mOhm @ 650mA, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.6V @ 1mA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:-
  • vgs (max):±20V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:137 pF @ 15 V
  • fet-Funktion:-
  • Verlustleistung (max.):500mW (Ta)
  • Betriebstemperatur:150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Gerätepaket des Lieferanten:ES6 (1.6x1.6)
  • Paket / Koffer:SOT-563, SOT-666
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Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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