SSM3J35AMFV,L3F

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Herstellerteil

SSM3J35AMFV,L3F

Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 250MA VESM
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln
Serie
-
Auf Lager
4676
Datenblätter online
SSM3J35AMFV,L3F PDF
Anfrage
  • Serie:U-MOSVII
  • Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • Teilstatus:Active
  • fet-Typ:P-Channel
  • Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain-Source-Spannung (vdss):20 V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:250mA (Ta)
  • Antriebsspannung (max rds an, min rds an):1.2V, 4.5V
  • rds auf (max) @ id, vgs:1.4Ohm @ 150mA, 4.5V
  • vgs(th) (max) @ id:1V @ 100µA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:-
  • vgs (max):±10V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:42 pF @ 10 V
  • fet-Funktion:-
  • Verlustleistung (max.):150mW (Ta)
  • Betriebstemperatur:150°C
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Gerätepaket des Lieferanten:VESM
  • Paket / Koffer:SOT-723
Versand Lieferzeitraum Bei vorrätigen Teilen werden Bestellungen voraussichtlich in 3 Tagen versandt.
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Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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