IRF6795MTRPBF

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Herstellerteil

IRF6795MTRPBF

Hersteller
IR (Infineon Technologies)
Beschreibung
MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln
Serie
-
Auf Lager
154167
Datenblätter online
IRF6795MTRPBF PDF
Anfrage
  • Serie:HEXFET®
  • Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • Teilstatus:Active
  • fet-Typ:N-Channel
  • Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain-Source-Spannung (vdss):25 V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:32A (Ta), 160A (Tc)
  • Antriebsspannung (max rds an, min rds an):4.5V, 10V
  • rds auf (max) @ id, vgs:1.8mOhm @ 32A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.35V @ 100µA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:53 nC @ 4.5 V
  • vgs (max):±20V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:4280 pF @ 13 V
  • fet-Funktion:-
  • Verlustleistung (max.):2.8W (Ta), 75W (Tc)
  • Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Gerätepaket des Lieferanten:DIRECTFET™ MX
  • Paket / Koffer:DirectFET™ Isometric MX
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Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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