Name: G2R1000MT33J
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: G2R1000MT33J
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Herstellerteil: G2R1000MT33J

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

Beschreibung: SIC MOSFET N-CH 4A TO263-7

Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte

Familie: Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln

Serie: -

Auf Lager: 1130

Datenblätter online: -

G2R1000MT33J Notiz

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Serie:G2R™
Paket:Tube
Teilstatus:Active
fet-Typ:N-Channel
Technologie:SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (vdss):3300 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:4A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):20V
rds auf (max) @ id, vgs:1.2Ohm @ 2A, 20V
vgs(th) (max) @ id:3.5V @ 2mA

Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:21 nC @ 20 V
vgs (max):+20V, -5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:238 pF @ 1000 V
fet-Funktion:-
Verlustleistung (max.):74W (Tc)
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:TO-263-7
Paket / Koffer:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

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