GA10JT12-263

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Herstellerteil

GA10JT12-263

Hersteller
GeneSiC Semiconductor
Beschreibung
TRANS SJT 1200V 25A
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln
Serie
-
Auf Lager
170
Datenblätter online
GA10JT12-263 PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tube
  • Teilstatus:Active
  • fet-Typ:-
  • Technologie:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Drain-Source-Spannung (vdss):1200 V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:25A (Tc)
  • Antriebsspannung (max rds an, min rds an):-
  • rds auf (max) @ id, vgs:120mOhm @ 10A
  • vgs(th) (max) @ id:-
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:-
  • vgs (max):-
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:1403 pF @ 800 V
  • fet-Funktion:-
  • Verlustleistung (max.):170W (Tc)
  • Betriebstemperatur:175°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Gerätepaket des Lieferanten:-
  • Paket / Koffer:-
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Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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