SPA08N80C3XKSA1

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Herstellerteil

SPA08N80C3XKSA1

Hersteller
IR (Infineon Technologies)
Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 8A TO220-FP
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln
Serie
-
Auf Lager
35884
Datenblätter online
SPA08N80C3XKSA1 PDF
Anfrage
  • Serie:CoolMOS™
  • Paket:Tube
  • Teilstatus:Active
  • fet-Typ:N-Channel
  • Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain-Source-Spannung (vdss):800 V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:8A (Tc)
  • Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
  • rds auf (max) @ id, vgs:650mOhm @ 5.1A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:3.9V @ 470µA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:60 nC @ 10 V
  • vgs (max):±20V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:1100 pF @ 100 V
  • fet-Funktion:-
  • Verlustleistung (max.):40W (Tc)
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Through Hole
  • Gerätepaket des Lieferanten:PG-TO220-FP
  • Paket / Koffer:TO-220-3 Full Pack
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Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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