APTM120DA30T1G

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Herstellerteil

APTM120DA30T1G

Hersteller
Roving Networks / Microchip Technology
Beschreibung
MOSFET N-CH 1200V 31A SP1
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln
Serie
-
Auf Lager
0
Datenblätter online
APTM120DA30T1G PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Bulk
  • Teilstatus:Active
  • fet-Typ:N-Channel
  • Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain-Source-Spannung (vdss):1200 V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:31A (Tc)
  • Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
  • rds auf (max) @ id, vgs:360mOhm @ 25A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:5V @ 2.5mA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:560 nC @ 10 V
  • vgs (max):±30V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:14560 pF @ 25 V
  • fet-Funktion:-
  • Verlustleistung (max.):657W (Tc)
  • Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Chassis Mount
  • Gerätepaket des Lieferanten:SP1
  • Paket / Koffer:SP1
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Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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