Name: IPD50N08S413ATMA1
Brand: IR (Infineon Technologies)
SKU: IPD50N08S413ATMA1
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Herstellerteil: IPD50N08S413ATMA1

Hersteller: IR (Infineon Technologies)

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 50A TO252-3

Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte

Familie: Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln

Serie: -

Auf Lager: 500000

Datenblätter online: IPD50N08S413ATMA1 PDF

IPD50N08S413ATMA1 Notiz

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Serie:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:Active
fet-Typ:N-Channel
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):80 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:50A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
rds auf (max) @ id, vgs:13.2mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ id:4V @ 33µA

Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:30 nC @ 10 V
vgs (max):±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:1711 pF @ 25 V
fet-Funktion:-
Verlustleistung (max.):72W (Tc)
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:PG-TO252-3-313
Paket / Koffer:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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