Name: FDP2D9N12C
Brand: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
SKU: FDP2D9N12C
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Herstellerteil: FDP2D9N12C

Hersteller: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

Beschreibung: PTNG 120V N-FET TO220

Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte

Familie: Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln

Serie: -

Auf Lager: 3200

Datenblätter online: -

FDP2D9N12C Notiz

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Serie:PowerTrench®
Paket:Tube
Teilstatus:Active
fet-Typ:N-Channel
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):120 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:18A (Ta), 210A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):6V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:2.9mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) @ id:4V @ 686µA

Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:109 nC @ 10 V
vgs (max):±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:8894 pF @ 60 V
fet-Funktion:-
Verlustleistung (max.):2.4W (Ta), 333W (Tc)
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:TO-220-3
Paket / Koffer:TO-220-3

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