SCT3030KLHRC11

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Herstellerteil

SCT3030KLHRC11

Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
SICFET N-CH 1200V 72A TO247N
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln
Serie
-
Auf Lager
714
Datenblätter online
-
Anfrage
  • Serie:Automotive, AEC-Q101
  • Paket:Tube
  • Teilstatus:Active
  • fet-Typ:N-Channel
  • Technologie:SiCFET (Silicon Carbide)
  • Drain-Source-Spannung (vdss):1200 V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:72A (Tc)
  • Antriebsspannung (max rds an, min rds an):18V
  • rds auf (max) @ id, vgs:39mOhm @ 27A, 18V
  • vgs(th) (max) @ id:5.6V @ 13.3mA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:131 nC @ 18 V
  • vgs (max):+22V, -4V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:2222 pF @ 800 V
  • fet-Funktion:-
  • Verlustleistung (max.):339W
  • Betriebstemperatur:175°C (TJ)
  • Befestigungsart:Through Hole
  • Gerätepaket des Lieferanten:TO-247N
  • Paket / Koffer:TO-247-3
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Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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