Name: NTE2399
Brand: NTE Electronics, Inc.
SKU: NTE2399
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Herstellerteil: NTE2399

Hersteller: NTE Electronics, Inc.

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 1KV 3.1A TO220

Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte

Familie: Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln

Serie: -

Auf Lager: 252

Datenblätter online: -

NTE2399 Notiz

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Serie:-
Paket:Bag
Teilstatus:Active
fet-Typ:N-Channel
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):1 kV
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:3.1A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
rds auf (max) @ id, vgs:5Ohm @ 1.9A, 10V
vgs(th) (max) @ id:4V @ 250µA

Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:80 nC @ 10 V
vgs (max):±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:980 pF @ 25 V
fet-Funktion:-
Verlustleistung (max.):125W (Tc)
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:TO-220
Paket / Koffer:TO-220-3

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