Name: TK6A80E,S4X
Brand: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
SKU: TK6A80E,S4X
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Herstellerteil: TK6A80E,S4X

Hersteller: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 6A TO220SIS

Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte

Familie: Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln

Serie: -

Auf Lager: 52500

Datenblätter online: TK6A80E,S4X PDF

TK6A80E,S4X Notiz

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Serie:π-MOSVIII
Paket:Tube
Teilstatus:Active
fet-Typ:N-Channel
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):800 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:6A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
rds auf (max) @ id, vgs:1.7Ohm @ 3A, 10V
vgs(th) (max) @ id:4V @ 600µA

Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:32 nC @ 10 V
vgs (max):±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:1350 pF @ 25 V
fet-Funktion:-
Verlustleistung (max.):45W (Tc)
Betriebstemperatur:150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:TO-220SIS
Paket / Koffer:TO-220-3 Full Pack

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