IRGR3B60KD2TRLP

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Herstellerteil

IRGR3B60KD2TRLP

Hersteller
Rochester Electronics
Beschreibung
IGBT WITH RECOVERY DIODE
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - igbts - einzeln
Serie
-
Auf Lager
8989
Datenblätter online
IRGR3B60KD2TRLP PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Bulk
  • Teilstatus:Obsolete
  • igbt-Typ:NPT
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):600 V
  • Strom - Kollektor (ic) (max):7.8 A
  • Strom - Kollektor gepulst (icm):15.6 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.4V @ 15V, 3A
  • Leistung max:52 W
  • Schaltenergie:62µJ (on), 39µJ (off)
  • Eingabetyp:Standard
  • Gate-Gebühr:13 nC
  • td (ein/aus) bei 25 °c:18ns/110ns
  • Testbedingung:400V, 3A, 100Ohm, 15V
  • Rückwärtserholzeit (trr):77 ns
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Gerätepaket des Lieferanten:D-Pak
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Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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