IRGP6660D-EPBF

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Herstellerteil

IRGP6660D-EPBF

Hersteller
Rochester Electronics
Beschreibung
IGBT WITH RECOVERY DIODE
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - igbts - einzeln
Serie
-
Auf Lager
1090
Datenblätter online
IRGP6660D-EPBF PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tube
  • Teilstatus:Obsolete
  • igbt-Typ:-
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):600 V
  • Strom - Kollektor (ic) (max):95 A
  • Strom - Kollektor gepulst (icm):144 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:1.95V @ 15V, 48A
  • Leistung max:330 W
  • Schaltenergie:600µJ (on), 1.3mJ (off)
  • Eingabetyp:Standard
  • Gate-Gebühr:95 nC
  • td (ein/aus) bei 25 °c:60ns/155ns
  • Testbedingung:400V, 48A, 10Ohm, 15V
  • Rückwärtserholzeit (trr):70 ns
  • Betriebstemperatur:-40°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart:Through Hole
  • Paket / Koffer:TO-247-3
  • Gerätepaket des Lieferanten:TO-247AD
Versand Lieferzeitraum Bei vorrätigen Teilen werden Bestellungen voraussichtlich in 3 Tagen versandt.
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Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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