FGH50N3

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Herstellerteil

FGH50N3

Hersteller
Rochester Electronics
Beschreibung
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - igbts - einzeln
Serie
-
Auf Lager
437
Datenblätter online
FGH50N3 PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Bulk
  • Teilstatus:Active
  • igbt-Typ:PT
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):300 V
  • Strom - Kollektor (ic) (max):75 A
  • Strom - Kollektor gepulst (icm):240 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:1.4V @ 15V, 30A
  • Leistung max:463 W
  • Schaltenergie:130µJ (on), 92µJ (off)
  • Eingabetyp:Standard
  • Gate-Gebühr:180 nC
  • td (ein/aus) bei 25 °c:20ns/135ns
  • Testbedingung:180V, 30A, 5Ohm, 15V
  • Rückwärtserholzeit (trr):-
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Through Hole
  • Paket / Koffer:TO-247-3
  • Gerätepaket des Lieferanten:TO-247-3
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Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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