RJP6085DPN-00#T2

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Herstellerteil

RJP6085DPN-00#T2

Hersteller
Renesas Electronics America
Beschreibung
IGBT 600V 40A TO220AB
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - igbts - einzeln
Serie
-
Auf Lager
15
Datenblätter online
RJP6085DPN-00#T2 PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tube
  • Teilstatus:Obsolete
  • igbt-Typ:-
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):600 V
  • Strom - Kollektor (ic) (max):40 A
  • Strom - Kollektor gepulst (icm):-
  • vce(on) (max) @ vge, ic:3.5V @ 15V, 40A
  • Leistung max:178.5 W
  • Schaltenergie:-
  • Eingabetyp:Standard
  • Gate-Gebühr:-
  • td (ein/aus) bei 25 °c:-
  • Testbedingung:-
  • Rückwärtserholzeit (trr):-
  • Betriebstemperatur:150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Through Hole
  • Paket / Koffer:TO-220-3
  • Gerätepaket des Lieferanten:TO-220AB
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Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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