MT3S113TU,LF

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Herstellerteil

MT3S113TU,LF

Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Beschreibung
RF TRANS NPN 5.3V 11.2GHZ UFM
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - bipolar (bjt) - rf
Serie
-
Auf Lager
5800
Datenblätter online
MT3S113TU,LF PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • Teilstatus:Active
  • Transistortyp:NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):5.3V
  • Frequenz - Übergang:11.2GHz
  • Rauschzahl (db typ @ f):1.45dB @ 1GHz
  • gewinnen:12.5dB
  • Leistung max:900mW
  • Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:200 @ 30mA, 5V
  • Strom - Kollektor (ic) (max):100mA
  • Betriebstemperatur:150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:3-SMD, Flat Lead
  • Gerätepaket des Lieferanten:UFM
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Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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