BFP183WE6327

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Herstellerteil

BFP183WE6327

Hersteller
Rochester Electronics
Beschreibung
RF TRANSISTOR, L BAND, NPN
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - bipolar (bjt) - rf
Serie
-
Auf Lager
4546
Datenblätter online
-
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Bulk
  • Teilstatus:Active
  • Transistortyp:NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):12V
  • Frequenz - Übergang:8GHz
  • Rauschzahl (db typ @ f):0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
  • gewinnen:22dB
  • Leistung max:450mW
  • Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:70 @ 15mA, 8V
  • Strom - Kollektor (ic) (max):65mA
  • Betriebstemperatur:150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:SC-82A, SOT-343
  • Gerätepaket des Lieferanten:PG-SOT343-4
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Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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