SSM6N815R,LF

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Herstellerteil

SSM6N815R,LF

Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Serie
-
Auf Lager
314
Datenblätter online
SSM6N815R,LF PDF
Anfrage
  • Serie:U-MOSVIII-H
  • Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • Teilstatus:Active
  • fet-Typ:2 N-Channel (Dual)
  • fet-Funktion:Logic Level Gate, 4V Drive
  • Drain-Source-Spannung (vdss):100V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:2A (Ta)
  • rds auf (max) @ id, vgs:103mOhm @ 2A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.5V @ 100µA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:3.1nC @ 4.5V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:290pF @ 15V
  • Leistung max:1.8W (Ta)
  • Betriebstemperatur:150°C
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:6-SMD, Flat Leads
  • Gerätepaket des Lieferanten:6-TSOP-F
Versand Lieferzeitraum Bei vorrätigen Teilen werden Bestellungen voraussichtlich in 3 Tagen versandt.
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Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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