RF1S640

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Herstellerteil

RF1S640

Hersteller
Rochester Electronics
Beschreibung
18A, 200V, 0.180 OHM, N-CHANNEL
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Serie
-
Auf Lager
3985
Datenblätter online
-
Anfrage
  • Serie:*
  • Paket:Bulk
  • Teilstatus:Active
  • fet-Typ:-
  • fet-Funktion:-
  • Drain-Source-Spannung (vdss):-
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:-
  • rds auf (max) @ id, vgs:-
  • vgs(th) (max) @ id:-
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:-
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:-
  • Leistung max:-
  • Betriebstemperatur:-
  • Befestigungsart:-
  • Paket / Koffer:-
  • Gerätepaket des Lieferanten:-
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Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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