ECH8619-TL-E

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Herstellerteil

ECH8619-TL-E

Hersteller
Rochester Electronics
Beschreibung
N-CHANNEL AND P-CHANNEL SILICON
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Serie
-
Auf Lager
0
Datenblätter online
ECH8619-TL-E PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Bulk
  • Teilstatus:Obsolete
  • fet-Typ:N and P-Channel
  • fet-Funktion:Logic Level Gate
  • Drain-Source-Spannung (vdss):60V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:3A, 2A
  • rds auf (max) @ id, vgs:93mOhm @ 1.5A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:-
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:12.8nC @ 10V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:560pF @ 20V
  • Leistung max:1.5W
  • Betriebstemperatur:150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:8-SMD, Flat Lead
  • Gerätepaket des Lieferanten:8-ECH
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Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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