SQJ200EP-T1_GE3

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Herstellerteil

SQJ200EP-T1_GE3

Hersteller
Vishay / Siliconix
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Serie
-
Auf Lager
1229
Datenblätter online
SQJ200EP-T1_GE3 PDF
Anfrage
  • Serie:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • Teilstatus:Active
  • fet-Typ:2 N-Channel (Dual)
  • fet-Funktion:Standard
  • Drain-Source-Spannung (vdss):20V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:20A, 60A
  • rds auf (max) @ id, vgs:8.8mOhm @ 16A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2V @ 250µA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:18nC @ 10V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:975pF @ 10V
  • Leistung max:27W, 48W
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:PowerPAK® SO-8 Dual
  • Gerätepaket des Lieferanten:PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Versand Lieferzeitraum Bei vorrätigen Teilen werden Bestellungen voraussichtlich in 3 Tagen versandt.
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Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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