BSM180D12P2C101

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Herstellerteil

BSM180D12P2C101

Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Serie
-
Auf Lager
9
Datenblätter online
BSM180D12P2C101 PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Bulk
  • Teilstatus:Active
  • fet-Typ:2 N-Channel (Half Bridge)
  • fet-Funktion:Silicon Carbide (SiC)
  • Drain-Source-Spannung (vdss):1200V (1.2kV)
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:204A (Tc)
  • rds auf (max) @ id, vgs:-
  • vgs(th) (max) @ id:4V @ 35.2mA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:-
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:23000pF @ 10V
  • Leistung max:1130W
  • Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:-
  • Paket / Koffer:Module
  • Gerätepaket des Lieferanten:Module
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Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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