ALD111933SAL

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Herstellerteil

ALD111933SAL

Hersteller
Advanced Linear Devices, Inc.
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Serie
-
Auf Lager
13
Datenblätter online
ALD111933SAL PDF
Anfrage
  • Serie:EPAD®
  • Paket:Tube
  • Teilstatus:Active
  • fet-Typ:2 N-Channel (Dual) Matched Pair
  • fet-Funktion:Standard
  • Drain-Source-Spannung (vdss):10.6V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:-
  • rds auf (max) @ id, vgs:500Ohm @ 5.9V
  • vgs(th) (max) @ id:3.35V @ 1µA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:-
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:2.5pF @ 5V
  • Leistung max:500mW
  • Betriebstemperatur:0°C ~ 70°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Gerätepaket des Lieferanten:8-SOIC
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Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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