PDTC114EM,315

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Herstellerteil

PDTC114EM,315

Hersteller
Rochester Electronics
Beschreibung
NPN RESISTOR-EQUIPPED TRANSISTOR
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln, vorgespannt
Serie
-
Auf Lager
5000000
Datenblätter online
PDTC114EM,315 PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Bulk
  • Teilstatus:Active
  • Transistortyp:NPN - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (ic) (max):100 mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):50 V
  • Widerstand - Basis (r1):10 kOhms
  • Widerstand - Emitter Basis (r2):10 kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:30 @ 5mA, 5V
  • vce Sättigung (max) @ ib, ic:150mV @ 500µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max):1µA
  • Frequenz - Übergang:-
  • Leistung max:250 mW
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:SC-101, SOT-883
  • Gerätepaket des Lieferanten:DFN1006-3
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Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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