F4100R12KS4BOSA1

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Herstellerteil

F4100R12KS4BOSA1

Hersteller
IR (Infineon Technologies)
Beschreibung
IGBT MOD 1200V 130A 660W
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - igbts - Module
Serie
-
Auf Lager
0
Datenblätter online
F4100R12KS4BOSA1 PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Bulk
  • Teilstatus:Active
  • igbt-Typ:-
  • Aufbau:Three Phase Inverter
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):1200 V
  • Strom - Kollektor (ic) (max):130 A
  • Leistung max:660 W
  • vce(on) (max) @ vge, ic:3.75V @ 15V, 100A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max):5 mA
  • Eingangskapazität (cies) @ vce:6.8 nF @ 25 V
  • Eingang:Standard
  • NTC-Thermistor:Yes
  • Betriebstemperatur:-40°C ~ 125°C
  • Befestigungsart:Chassis Mount
  • Paket / Koffer:Module
  • Gerätepaket des Lieferanten:Module
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Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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