71V416L12YG8

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Herstellerteil

71V416L12YG8

Hersteller
Rochester Electronics
Beschreibung
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
Kategorie
integrierte Schaltkreise
Familie
Erinnerung
Serie
-
Auf Lager
430
Datenblätter online
71V416L12YG8 PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Bulk
  • Teilstatus:Active
  • Speichertyp:Volatile
  • Speicherformat:SRAM
  • Technologie:SRAM - Asynchronous
  • Speichergröße:4Mb (256K x 16)
  • Speicherschnittstelle:Parallel
  • Taktfrequenz:-
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite:12ns
  • Zugriffszeit:12 ns
  • Spannungsversorgung:3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur:0°C ~ 70°C (TA)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
  • Gerätepaket des Lieferanten:44-SOJ
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Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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