CY7C1614KV18-300BZC

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Herstellerteil

CY7C1614KV18-300BZC

Hersteller
Rochester Electronics
Beschreibung
QDR SRAM, 4MX36, 0.45NS, CMOS, P
Kategorie
integrierte Schaltkreise
Familie
Erinnerung
Serie
-
Auf Lager
203
Datenblätter online
CY7C1614KV18-300BZC PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Bulk
  • Teilstatus:Active
  • Speichertyp:Volatile
  • Speicherformat:SRAM
  • Technologie:SRAM - Synchronous, QDR II
  • Speichergröße:144Mb (4M x 36)
  • Speicherschnittstelle:Parallel
  • Taktfrequenz:300 MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite:-
  • Zugriffszeit:-
  • Spannungsversorgung:1.7V ~ 1.9V
  • Betriebstemperatur:0°C ~ 70°C (TA)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:165-LBGA
  • Gerätepaket des Lieferanten:165-FBGA (15x17)
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Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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Produktkategorie

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