CY7C1318KV18-250BZC

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Herstellerteil

CY7C1318KV18-250BZC

Hersteller
Rochester Electronics
Beschreibung
DDR SRAM, 1MX18, 0.45NS, CMOS, P
Kategorie
integrierte Schaltkreise
Familie
Erinnerung
Serie
-
Auf Lager
292
Datenblätter online
CY7C1318KV18-250BZC PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Bulk
  • Teilstatus:Active
  • Speichertyp:Volatile
  • Speicherformat:SRAM
  • Technologie:SRAM - Synchronous, DDR II
  • Speichergröße:18Mb (1M x 18)
  • Speicherschnittstelle:Parallel
  • Taktfrequenz:250 MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite:-
  • Zugriffszeit:-
  • Spannungsversorgung:1.7V ~ 1.9V
  • Betriebstemperatur:0°C ~ 70°C (TA)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:165-LBGA
  • Gerätepaket des Lieferanten:165-FBGA (13x15)
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Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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Produktkategorie

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