Name: BUK761R3-30E,118
Brand: NXP Semiconductors
SKU: BUK761R3-30E,118
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Herstellerteil: BUK761R3-30E,118

Hersteller: NXP Semiconductors

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK

Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte

Familie: Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln

Serie: -

Auf Lager: 0

Datenblätter online: -

BUK761R3-30E,118 Notiz

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Serie:TrenchMOS™
Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:Obsolete
fet-Typ:N-Channel
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):30 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:120A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
rds auf (max) @ id, vgs:1.3mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) @ id:4V @ 1mA

Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:154 nC @ 10 V
vgs (max):±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:11960 pF @ 25 V
fet-Funktion:-
Verlustleistung (max.):357W (Tc)
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:D2PAK
Paket / Koffer:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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