Name: PHB112N06T,118
Brand: NXP Semiconductors
SKU: PHB112N06T,118
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Herstellerteil: PHB112N06T,118

Hersteller: NXP Semiconductors

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte

Familie: Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln

Serie: -

Auf Lager: 0

Datenblätter online: PHB112N06T,118 PDF

PHB112N06T,118 Notiz

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Serie:TrenchMOS™
Paket:Tape & Reel (TR)
Teilstatus:Obsolete
fet-Typ:N-Channel
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):55 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:75A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
rds auf (max) @ id, vgs:8mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) @ id:4V @ 1mA

Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:87 nC @ 10 V
vgs (max):±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:4352 pF @ 25 V
fet-Funktion:-
Verlustleistung (max.):200W (Tc)
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:D2PAK
Paket / Koffer:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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