EPC2012

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Herstellerteil

EPC2012

Hersteller
EPC
Beschreibung
GANFET N-CH 200V 3A DIE
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln
Serie
-
Auf Lager
0
Datenblätter online
EPC2012 PDF
Anfrage
  • Serie:eGaN®
  • Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • Teilstatus:Discontinued at Digi-Key
  • fet-Typ:N-Channel
  • Technologie:GaNFET (Gallium Nitride)
  • Drain-Source-Spannung (vdss):200 V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:3A (Ta)
  • Antriebsspannung (max rds an, min rds an):5V
  • rds auf (max) @ id, vgs:100mOhm @ 3A, 5V
  • vgs(th) (max) @ id:2.5V @ 1mA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:1.8 nC @ 5 V
  • vgs (max):+6V, -5V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:145 pF @ 100 V
  • fet-Funktion:-
  • Verlustleistung (max.):-
  • Betriebstemperatur:-40°C ~ 125°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Gerätepaket des Lieferanten:Die
  • Paket / Koffer:Die
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Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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