IRF7701GTRPBF

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Herstellerteil

IRF7701GTRPBF

Hersteller
IR (Infineon Technologies)
Beschreibung
MOSFET P-CH 12V 10A 8TSSOP
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln
Serie
-
Auf Lager
2000
Datenblätter online
IRF7701GTRPBF PDF
Anfrage
  • Serie:HEXFET®
  • Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • Teilstatus:Obsolete
  • fet-Typ:P-Channel
  • Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain-Source-Spannung (vdss):12 V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:10A (Ta)
  • Antriebsspannung (max rds an, min rds an):1.8V, 4.5V
  • rds auf (max) @ id, vgs:11mOhm @ 10A, 4.5V
  • vgs(th) (max) @ id:1.2V @ 250µA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:100 nC @ 4.5 V
  • vgs (max):±8V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:5050 pF @ 10 V
  • fet-Funktion:-
  • Verlustleistung (max.):1.5W (Ta)
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Gerätepaket des Lieferanten:8-TSSOP
  • Paket / Koffer:8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
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Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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