IRF1405S

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Herstellerteil

IRF1405S

Hersteller
IR (Infineon Technologies)
Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln
Serie
-
Auf Lager
1010000
Datenblätter online
IRF1405S PDF
Anfrage
  • Serie:HEXFET®
  • Paket:Tube
  • Teilstatus:Obsolete
  • fet-Typ:N-Channel
  • Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain-Source-Spannung (vdss):55 V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:131A (Tc)
  • Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
  • rds auf (max) @ id, vgs:5.3mOhm @ 101A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:4V @ 250µA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:260 nC @ 10 V
  • vgs (max):±20V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:5480 pF @ 25 V
  • fet-Funktion:-
  • Verlustleistung (max.):200W (Tc)
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Gerätepaket des Lieferanten:D2PAK
  • Paket / Koffer:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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