GT8G133(TE12L,Q)

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Herstellerteil

GT8G133(TE12L,Q)

Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Beschreibung
IGBT 400V 600MW 8TSSOP
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - igbts - einzeln
Serie
-
Auf Lager
0
Datenblätter online
GT8G133(TE12L,Q) PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tape & Reel (TR)
  • Teilstatus:Obsolete
  • igbt-Typ:-
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):400 V
  • Strom - Kollektor (ic) (max):-
  • Strom - Kollektor gepulst (icm):150 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.9V @ 4V, 150A
  • Leistung max:600 mW
  • Schaltenergie:-
  • Eingabetyp:Standard
  • Gate-Gebühr:-
  • td (ein/aus) bei 25 °c:1.7µs/2µs
  • Testbedingung:-
  • Rückwärtserholzeit (trr):-
  • Betriebstemperatur:150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • Gerätepaket des Lieferanten:8-TSSOP
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Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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