RJP65T43DPQ-A0#T2

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Herstellerteil

RJP65T43DPQ-A0#T2

Hersteller
Renesas Electronics America
Beschreibung
IGBT TRENCH 650V 60A TO247A
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - igbts - einzeln
Serie
-
Auf Lager
0
Datenblätter online
RJP65T43DPQ-A0#T2 PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tube
  • Teilstatus:Active
  • igbt-Typ:Trench
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):650 V
  • Strom - Kollektor (ic) (max):60 A
  • Strom - Kollektor gepulst (icm):-
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.4V @ 15V, 20A
  • Leistung max:150 W
  • Schaltenergie:170µJ (on), 130µJ (off)
  • Eingabetyp:Standard
  • Gate-Gebühr:69 nC
  • td (ein/aus) bei 25 °c:35ns/105ns
  • Testbedingung:400V, 20A, 10Ohm, 15V
  • Rückwärtserholzeit (trr):-
  • Betriebstemperatur:175°C (TJ)
  • Befestigungsart:Through Hole
  • Paket / Koffer:TO-247-3
  • Gerätepaket des Lieferanten:TO-247A
Versand Lieferzeitraum Bei vorrätigen Teilen werden Bestellungen voraussichtlich in 3 Tagen versandt.
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Rückgabe / Garantie Rückkehr Rücksendungen werden normalerweise akzeptiert, wenn sie innerhalb von 30 Tagen ab Versanddatum abgeschlossen sind. Bitte wenden Sie sich an den Kundendienst, um eine Rücksendegenehmigung zu erhalten.
Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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