STGW15M120DF3

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Herstellerteil

STGW15M120DF3

Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
IGBT 1200V 30A 259W
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - igbts - einzeln
Serie
-
Auf Lager
0
Datenblätter online
STGW15M120DF3 PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tube
  • Teilstatus:Active
  • igbt-Typ:Trench Field Stop
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):1200 V
  • Strom - Kollektor (ic) (max):30 A
  • Strom - Kollektor gepulst (icm):60 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.3V @ 15V, 15A
  • Leistung max:259 W
  • Schaltenergie:550µJ (on), 850µJ (off)
  • Eingabetyp:Standard
  • Gate-Gebühr:226 nC
  • td (ein/aus) bei 25 °c:26ns/122ns
  • Testbedingung:600V, 15A, 22Ohm, 15V
  • Rückwärtserholzeit (trr):270 ns
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart:Through Hole
  • Paket / Koffer:TO-247-3
  • Gerätepaket des Lieferanten:TO-247
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Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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