GPA020A120MN-FD

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Herstellerteil

GPA020A120MN-FD

Hersteller
SemiQ
Beschreibung
IGBT 1200V 40A 223W TO3PN
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - igbts - einzeln
Serie
-
Auf Lager
0
Datenblätter online
GPA020A120MN-FD PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tube
  • Teilstatus:Obsolete
  • igbt-Typ:Trench Field Stop
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):1200 V
  • Strom - Kollektor (ic) (max):40 A
  • Strom - Kollektor gepulst (icm):60 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.5V @ 15V, 20A
  • Leistung max:223 W
  • Schaltenergie:2.8mJ (on), 480µJ (off)
  • Eingabetyp:Standard
  • Gate-Gebühr:210 nC
  • td (ein/aus) bei 25 °c:30ns/150ns
  • Testbedingung:600V, 20A, 10Ohm, 15V
  • Rückwärtserholzeit (trr):425 ns
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Through Hole
  • Paket / Koffer:TO-3
  • Gerätepaket des Lieferanten:TO-3PN
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Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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