APTM100H80FT1G

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Herstellerteil

APTM100H80FT1G

Hersteller
Microsemi
Beschreibung
MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Serie
-
Auf Lager
0
Datenblätter online
APTM100H80FT1G PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Bulk
  • Teilstatus:Obsolete
  • fet-Typ:4 N-Channel (H-Bridge)
  • fet-Funktion:Standard
  • Drain-Source-Spannung (vdss):1000V (1kV)
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:11A
  • rds auf (max) @ id, vgs:960mOhm @ 9A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:5V @ 1mA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:150nC @ 10V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:3876pF @ 25V
  • Leistung max:208W
  • Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Chassis Mount
  • Paket / Koffer:SP1
  • Gerätepaket des Lieferanten:SP1
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Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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