QJD1210010

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Herstellerteil

QJD1210010

Hersteller
Powerex, Inc.
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Serie
-
Auf Lager
0
Datenblätter online
QJD1210010 PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Bulk
  • Teilstatus:Active
  • fet-Typ:2 N-Channel (Dual)
  • fet-Funktion:Silicon Carbide (SiC)
  • Drain-Source-Spannung (vdss):1200V (1.2kV)
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:100A (Tc)
  • rds auf (max) @ id, vgs:25mOhm @ 100A, 20V
  • vgs(th) (max) @ id:5V @ 10mA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:500nC @ 20V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:10200pF @ 800V
  • Leistung max:1080W
  • Betriebstemperatur:-40°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart:Chassis Mount
  • Paket / Koffer:Module
  • Gerätepaket des Lieferanten:Module
Versand Lieferzeitraum Bei vorrätigen Teilen werden Bestellungen voraussichtlich in 3 Tagen versandt.
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Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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