PMWD19UN,518

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Herstellerteil

PMWD19UN,518

Hersteller
NXP Semiconductors
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Serie
-
Auf Lager
0
Datenblätter online
PMWD19UN,518 PDF
Anfrage
  • Serie:TrenchMOS™
  • Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • Teilstatus:Obsolete
  • fet-Typ:2 N-Channel (Dual)
  • fet-Funktion:Logic Level Gate
  • Drain-Source-Spannung (vdss):30V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:5.6A
  • rds auf (max) @ id, vgs:23mOhm @ 3.5A, 4.5V
  • vgs(th) (max) @ id:700mV @ 1mA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:28nC @ 5V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:1478pF @ 10V
  • Leistung max:2.3W
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • Gerätepaket des Lieferanten:8-TSSOP
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Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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