AUIRF7379QTR

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Herstellerteil

AUIRF7379QTR

Hersteller
IR (Infineon Technologies)
Beschreibung
MOSFET N/P-CH 30V 5.8A/4.3A 8SO
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Serie
-
Auf Lager
0
Datenblätter online
AUIRF7379QTR PDF
Anfrage
  • Serie:HEXFET®
  • Paket:Tape & Reel (TR)
  • Teilstatus:Active
  • fet-Typ:N and P-Channel
  • fet-Funktion:Logic Level Gate
  • Drain-Source-Spannung (vdss):30V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:5.8A, 4.3A
  • rds auf (max) @ id, vgs:45mOhm @ 5.8A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:3V @ 250µA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:25nC @ 10V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:520pF @ 25V
  • Leistung max:2.5W
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Gerätepaket des Lieferanten:8-SO
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Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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