Name: RJ1P12BBDTLL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: RJ1P12BBDTLL
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Herstellerteil: RJ1P12BBDTLL

Hersteller: ROHM Semiconductor

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 120A LPTL

Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte

Familie: Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln

Serie: -

Auf Lager: 993

Datenblätter online: -

RJ1P12BBDTLL Notiz

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Serie:-
Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:Active
fet-Typ:N-Channel
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):100 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:120A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):6V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:5.8mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ id:4V @ 2.5mA

Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:80 nC @ 10 V
vgs (max):±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:4170 pF @ 50 V
fet-Funktion:-
Verlustleistung (max.):178W (Tc)
Betriebstemperatur:150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:LPTL
Paket / Koffer:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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