Name: TK58E06N1,S1X
Brand: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
SKU: TK58E06N1,S1X
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Herstellerteil: TK58E06N1,S1X

Hersteller: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 58A TO220

Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte

Familie: Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln

Serie: -

Auf Lager: 37447

Datenblätter online: TK58E06N1,S1X PDF

TK58E06N1,S1X Notiz

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Serie:U-MOSVIII-H
Paket:Tube
Teilstatus:Active
fet-Typ:N-Channel
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):60 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:58A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
rds auf (max) @ id, vgs:5.4mOhm @ 29A, 10V
vgs(th) (max) @ id:4V @ 500µA

Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:46 nC @ 10 V
vgs (max):±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:3400 pF @ 30 V
fet-Funktion:-
Verlustleistung (max.):110W (Tc)
Betriebstemperatur:150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:TO-220
Paket / Koffer:TO-220-3

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