TP65H035WS

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Herstellerteil

TP65H035WS

Hersteller
Transphorm
Beschreibung
GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln
Serie
-
Auf Lager
136
Datenblätter online
TP65H035WS PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tube
  • Teilstatus:Active
  • fet-Typ:N-Channel
  • Technologie:GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
  • Drain-Source-Spannung (vdss):650 V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:46.5A (Tc)
  • Antriebsspannung (max rds an, min rds an):12V
  • rds auf (max) @ id, vgs:41mOhm @ 30A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:4.8V @ 1mA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:36 nC @ 10 V
  • vgs (max):±20V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:1500 pF @ 400 V
  • fet-Funktion:-
  • Verlustleistung (max.):156W (Tc)
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Through Hole
  • Gerätepaket des Lieferanten:TO-247-3
  • Paket / Koffer:TO-247-3
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Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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